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Samsung ha anunciado hoy que ha logrado hacer un gran avance en las chips de memorias DDR3 creando el primer chip de 4GBit de memoria DDRAM DDR3 , utilizando tecnología de 50nm.Diseñado para bajo consumo, funciona a 1.35 voltios, bajando un 20% sobre la memoria estandard DDR3 de 1.5V. Su velocidad máxima es de 1.6GBits por segundo.Haciendo una pequeña regla de 3 , podríamos ver módulos de memoria DDR3 de 32GB.